报告简介

在半导体晶圆制造中，由于纯净硅的导电性能很差，需要加入少量杂质使其结 构和电导率发生改变，从而变成一种有用的半导体，这个过程称为掺杂。目前掺杂 主要有高温热扩散法和离子注入法两种，离子注入占据着主流地位:   

高温热扩散法:将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，将杂质扩散到硅片 内的方法。由于热扩散存在精度较难控制、高热热缺陷等缺点，在现在的工艺中已 经较少采用。 

离子注入法:通过离子注入机的加速和引导，将要掺杂的离子以离子束形 式入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子发生一系列理化反应，入射离子 逐渐损失能量，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，最后停留在材料中， 实现对材料表面性能的优化或改变。离子注入具备精确控制能量和剂量、掺杂均匀 性好、纯度高、低温掺杂、不受注射材料影响等优点，目前已经成为0.25um特征尺 寸以下和大直径硅片制造的标准工艺。

目录概述

1. 离子注入工艺及离子注入设备技术介绍

2. 离子注入设备在半导体、显示及光伏领域工艺中的应用

3. 离子注入设备市场

4. 离子注入设备竞争格局

5. 离子注入设备的国内供应商

6. 离子注入设备及其周边的投资机会

7. 离子注入设备及其周边领域的投资标的

8. 总结

9. 参考资料