SOI 晶圆及其周边的行业研究
作者:毛示旻
半导体核心材料 / 梧桐树行业研究

SOI 晶圆及其周边的行业研究

报告简介


半导体工艺随着制程尺寸缩小,诸如短沟道效应、寄生电容、寄生电阻、量子隧穿效应等显著增强,严重影响了等比例缩小带来的性能和功耗价值。为了克服这些次级效应, 在工艺技术方面做出了诸多的努力,下图显示了半导体在随着工艺尺寸变小而衍生的新的材料创新,如在130nm节点为了解决寄生电阻对工作频率的影响而发展了铜互连技术(之前普遍用铝);在90nm节点为了降低寄生电容发展


出超低k值介电材料;在65nm节点为了抑制短沟道效应对性能、功耗和可靠性的影响,开始引入应变硅技术;在45nm节点为了消除多余效应的,英特尔首先将高K电介质和金属栅极技术引入了;在32/28nm以下节点时,当时的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限,在进一步减小集成电路的特征尺寸方面遇到了严峻的挑战,必须在材料和工艺上有新的重大突破。为了解决平面晶体管的短沟道效应问题,采用FinFET(Fin Field-effect transistor:鳍式场效应管)和SOI(Silicon-on-insulator:绝缘体上硅)这两种结构的主要目标是最大限度地提高栅极至沟道的电容,并最大限度地减小漏极间沟道电容。


目录概述

1、 SOI(Silicon-on-insulator)晶圆介绍

2、SOI 晶圆的不同制备方法及应用场景

3、SOI 晶圆的市场现状及未来趋势

4、我国 SOI 晶圆厂商及周边产业链发展现状

5、SOI 晶圆及周边的相关潜在项目

6、 总结

7、 参考资料

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